特許
J-GLOBAL ID：200903056657801101

高アバランシェ耐量MOSFET、及びその製造方法

発明者：
手塚 俊和

手塚 俊和 について

, 
黒崎 徹

黒崎 徹 について


出願人/特許権者：
新電元工業株式会社

新電元工業株式会社 について


代理人 (1件)： 石島 茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-227382
公開番号（公開出願番号）：特開平10-112545
出願日： 1997年08月08日
公開日（公表日）： 1998年04月28日
要約：
【要約】【課題】 アバランシェ破壊耐量の高いMOSFETを提供する。【解決手段】 二重拡散縦型MOSFETのチャネル領域63の円筒接合部分92の降伏電圧を球状接合部分91の降伏電圧以下にする。誘導性負荷の逆起電力によってpn接合が降伏する際、面積の大きい円筒接合部分92が降伏してその部分にアバランシェ電流が流れるので、破壊耐量が向上する。チャネル拡散層63の対向する辺の間に、ドレイン領域72と同じ導電型で不純物濃度の高いアバランシェ降伏誘起層58を設け、円筒接合部分92の耐圧が低くなるようにしておくとよい。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板で構成されるドレイン領域とを有し、前記ドレイン領域とは異なる導電型である主拡散層が前記半導体基板表面から互いに離間して島状に拡散され、前記主拡散層と同じ導電型であるチャネル拡散層が前記各主拡散層周囲に拡散され、前記ドレイン領域と同じ導電型であるソース拡散層が前記各主拡散層と前記各チャネル拡散層表面から拡散され、前記チャネル拡散層上に設けられたゲート電極膜に電圧を印加し、前記各チャネル拡散層表面を反転させると前記ドレイン領域と前記各ソース拡散層との間に電流を流せるように構成されたMOSFETであって、前記チャネル拡散層と前記ドレイン領域とで形成されるpn接合の円筒状接合部分の降伏電圧が球状接合部分の降伏電圧以下にされていることを特徴とするMOSFET。
FI (3件)：
H01L 29/78 652 J ,  H01L 29/78 652 S ,  H01L 29/78 652 K
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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