特許

J-GLOBAL ID：200903056661656175

フォトレジスト/エッチング後の残留物を取り除くためのプラズマストリッピング処理方法

発明者： クイギュアン ハン ,  マームド ダヒメネ ,  リッキー ラッフィン ,  パラニクマラン サクシーベル ,  イバン ルイス ベリー ザ サード
出願人/特許権者： アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 萼 経夫 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-234323
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110775
出願日： 2000年08月02日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】高選択比で、高処理能力を有したプラズマストリッピング処理方法および乾式アッシングプロセスを提供すること。【解決手段】フォトレジスト16および/またはエッチング後の残留物を露出した低k誘電体層14から除去する方法で、無酸素ガスをエネルギー源にさらすことにより、電気的に中性な粒子と荷電粒子を有する無酸素プラズマを作り出す。その後、荷電粒子は、プラズマから選択的に取り除かれる。電気的に中性な粒子は、フォトレジスト16および/またはエッチング後の残留物と反応して、ガス流によってウエハから除去される揮発性ガスを形成する。無酸素プラズマのガス組成物は、水素含有ガスとフッ素含有ガスを含み、フッ素含有ガスは、全体のガス組成物の約10%以下となっている。

請求項（抜粋）：

基板(98)からフォトレジスト(16)とエッチング後の残留物の両方またはいずれか一方を取り除くための方法であって、a. 前記フォトレジスト(16)および/またはエッチング後の残留物を有する少なくとも1つの基板(98)をウエハ処理室(22)に配置し、b. プラズマを発生するためのガスが、水素含有ガスとフッ素含有ガスを含んで、酸素のないプラズマを発生することによって反応種を形成し、c.前記基板を電気的に中性である前記反応種にさらすことにより、側壁に堆積したポリマーを含むフォトレジスト(16)および/またはエッチング後の残留物を取り除く、各工程を有することを特徴とする方法。