集積大面積ミクロ構造体およびミクロメカニカルデバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-540567
公開番号（公開出願番号）：特表2002-509808
出願日： 1999年01月14日
公開日（公表日）： 2002年04月02日
要約：

【要約】深い反応性イオンエッチングは、20〜50マイクロメートル深さのシングルマスクMEMS構造体をウェハ最上面に形成する。その後、底面エッチングは、MEMS構造体中に形成されたトレンチと協同して、スルートレンチを形成する。このスルートレンチは任意でウェハの厚さを下回る厚さの大面積構造体(86)を開放する。開放構造体はMEMS支持ビーム(102、104)によってウェハ中に支持され、運動は、MEMSセンサによって検出され、かつ、アクチェータによって影響が及ぼされる。

請求項（抜粋）：

一体型で柔軟性のある支持体によってウェハに対する運動が可能なように、ウェハのキャビティ内に据え付けられた固体の大面積プラットフォームを形成するプロセスが、ウェハの最上面に、大面積プラットフォームのサイズ、形状および位置を決定する第1パターンと、前記プラットフォームのアクチュエーターとを形成する工程と、前記プラットフォームに対応するメサを囲む前記ウェハ最上面トレンチの頂上部分に、前記支持体と前記アクチェータとを形成するように、前記第1パターンによってエッチングする工程と、前記ウェハの底面に、前記プラットフォームの前記サイズ、形状および位置に対応する第2パターンを形成する工程と、前記ウェハの底部に、前記プラットフォームに対応する底トレンチを形成するように前記第2パターンによってエッチングする工程であって、前記底トレンチは整列されているが前記プラットフォームに対応する前記メサを囲む前記頂上トレンチの下に間隔を有する、前記工程と、さらに前記頂上トレンチをエッチングして、前記プラットフォームに対応する前記メサを囲む前記最上面トレンチを、前記底部トレンチに交差させて、スルートレンチを形成し、前記プラットフォームを自由にする工程と、前記頂上トレンチをさらにエッチングして前記メサをアンダーカットし、前記支持体および前記アクチェータを前記支持体および前記アクチェータの下にある前記ウェハから開放する工程であって、前記支持体の端部は、前記ウェハおよび前記プラットフォームと一体化され、かつ、それらから片持ち固定され、それらの間に延びて、前記プラットフォームを支持する、前記工程とを含むプロセス。

IPC (3件)：

B81C 1/00 , B81B 3/00 , H01L 21/3065

FI (3件)：

B81C 1/00 , B81B 3/00 , H01L 21/302 J

Fターム (9件)：

5F004AA16 , 5F004BA04 , 5F004BA13 , 5F004DA01 , 5F004DA16 , 5F004DA18 , 5F004DA23 , 5F004DB01 , 5F004DB03

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