特許
J-GLOBAL ID：200903056664451302
半導体集積回路装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-100809
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114655
出願日： 1992年04月21日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：
【要約】【目的】 冗長回路の一部を構成するヒューズの切断処理を容易にする。【構成】 半導体チップ7に形成された冗長回路の一部を構成するヒューズ16を、表面保護膜9上に形成するとともに、CCBバンプ6の下地金属BLMと同一材料によって構成した。そして、ヒューズ16の切断箇所は、下地金属BLMの一金属層のみによって構成した。
請求項（抜粋）：
半導体チップに形成された冗長回路の一部を構成するヒューズを、前記半導体チップの上層の絶縁膜上に形成するとともに、前記上層の絶縁膜上に形成された電極導体パターンの少なくとも一部の構成材料によって構成したことを特徴とする半導体集積回路装置。
FI (2件)：
H01L 21/82 R
, H01L 21/82 F
