特許

J-GLOBAL ID：200903056664945372

半導体装置の製造方法

発明者： 有田 潔 ,  土師 宏
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-343908
公開番号（公開出願番号）：特開2000-173994
出願日： 1998年12月03日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】 シリコン基板のエッチングを効率よく低コストで均一に行い、コストダウンを図ることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 酸化膜31aが形成されたシリコン基板31からSOI構造を有するシリコン基板32を作製し、この酸化膜31aが形成されたシリコン基板31を削って薄膜化する工程を含む半導体装置の製造方法において、前記薄膜化する工程に適用するプラズマエッチングの条件を、処理室内に供給される酸素とフッ素ガスを含む混合ガスの放電圧力Pと電極間距離Lの積PLが2.5[Pa・m]〜15[Pa・m]の範囲の値となる条件下でこの平行平板電極間でプラズマ放電を行わせるようにした。これにより、低コスト・高効率のエッチングを行って半導体装置のコストダウンを図ることができる。

請求項（抜粋）：

表面に酸化膜が形成されたシリコン基板を別のシリコン基板の表面に貼り合わせて接合することによりSOI構造を有するシリコン基板を作製する第1の工程と、前記酸化膜が形成されたシリコン基板を削って薄膜化する第2の工程と、薄膜化したシリコン上に回路を形成する第3の工程を有し、前記第2の工程において、処理室内に対向して配置された平行平板電極の一方の電極上に前記シリコン基板を載置してプラズマエッチングを行い、このプラズマエッチングにおいて前記処理室内に酸素とフッ素ガスを含む混合ガスを供給し、前記平行平板電極の電極間距離L[m]と前記処理室内の混合ガスの圧力P[Pa]の積PLが2.5[Pa・m]〜15[Pa・m]の範囲の値となる条件下でこの平行平板電極間でプラズマ放電を行わせることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

H01L 21/302 C ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 M

Fターム (41件)：

4K057DA18 ,  4K057DA20 ,  4K057DB06 ,  4K057DD03 ,  4K057DE06 ,  4K057DE08 ,  4K057DE20 ,  4K057DG07 ,  4K057DG08 ,  4K057DG12 ,  4K057DG13 ,  4K057DG16 ,  4K057DM02 ,  4K057DM03 ,  4K057DM08 ,  4K057DN01 ,  5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BA07 ,  5F004BA09 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB21 ,  5F004BB25 ,  5F004BB28 ,  5F004CA02 ,  5F004CA06 ,  5F004CA09 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA19 ,  5F004DA20 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004EB08

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-256728
  
• SOI基板の製造方法および製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-325106   出願人：キヤノン株式会社
• 特開平4-062921