特許

J-GLOBAL ID：200903056666705298

空間電荷制限電流素子及びその製造方法

発明者： 藤原 博之 ,  登 正治
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-042831
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249777
出願日： 1994年03月14日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：

【要約】【目的】 液晶ディスプレイの画質が良く、かつ消費電力の少ないSCLC素子及びその製造方法を提供する。【構成】 透光性の基板上10に設けたゲート絶縁膜14と、このゲート絶縁膜上に島状であって、導電性の第一aーSi層16aと、この第一a-Si層に接触している導電性の第二aーSi層18c及び18dとを設けてある。更に、基板を透過する光が第一及び第二a-Si層に入射するのを防止するための島状の遮光膜12aを基板に設けてある。そして、この遮光膜は、第一及び第二a-Si層の外周より大きく形成してある。

請求項（抜粋）：

透光性の基板上に設けたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に、島状であって導電性の第一アモルファスシリコン(第一a-Si)層と、該第一アモルファスシリコン層に接触している導電性の第二アモルファスシリコン(第二a-Si)層とを具え、更に、前記基板を透過する光が前記第一及び第二アモルファスシリコン層に入射するのを防止する、島状の遮光膜を、前記第一及び第二アモルファスシリコン層の外周より大きくして、前記基板に設けてあることを特徴とする空間電荷制限電流素子。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500

FI (2件)：

H01L 29/78 311 N ,  H01L 29/78 311 G