特許
J-GLOBAL ID：200903056669633646
化合物半導体基板およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-033568
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245266
出願日： 1994年03月03日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：
【要約】【目的】 シリコン基板上に化合物半導体層をエピタキシャル成長させた化合物半導体基板において、シリコン基板の導電性がその上の化合物半導体に影響を与えることのない化合物半導体層を成長させた化合物半導体基板およびその製造方法を提供する。【構成】 上部シリコン層4の厚さが50〜1000ÅであるSOI基板1上に、化合物半導体層5をエピタキシャル成長させたことを特徴とする化合物半導体基板である。
請求項（抜粋）：
上部シリコン層の厚さが50〜1000ÅであるSOI基板上に、化合物半導体層をエピタキシャル成長させたことを特徴とする化合物半導体基板。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 27/00 301
