特許

J-GLOBAL ID：200903056673319875

半導体装置の製造方法

発明者： 小此木 堅祐
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-185838
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032210
出願日： 1996年07月16日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：

【要約】【課題】SIMOX基板への重金属汚染や結晶欠陥の発生を抑制できない。【解決手段】単結晶シリコン基板1の裏面に多結晶シリコン膜2を形成したのち、基板1を400〜700°Cに保持し、酸素イオン3をイオン注入し酸素注入層4を形成する。次に多結晶シリコン膜2を除去したのち、基板1を1300°C以上で熱処理し酸化シリコン層5を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の裏面にゲッタリング用の膜を形成する工程と、膜が形成された前記半導体基板を400〜700°Cに保持し、基板表面に酸素をイオン注入した後、前記膜を除去する工程と、裏面の膜が除去された前記半導体基板を1300°C以上の温度で熱処理する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/265 ,  H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 21/322 P ,  H01L 27/12 E ,  H01L 21/265 J