特許
J-GLOBAL ID：200903056678560511

空間光変調器

発明者：
井上 光輝

井上 光輝 について

, 
ジャエヒュック パク

ジャエヒュック パク について


出願人/特許権者：
科学技術振興事業団

科学技術振興事業団 について


代理人 (1件)： 星宮 勝美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-304866
公開番号（公開出願番号）：特開2003-315756
出願日： 2002年10月18日
公開日（公表日）： 2003年11月06日
要約：
【要約】【課題】 磁気光学効果を利用して入射光を空間的に変調する空間光変調器であって、消費電力、発熱および必要な電圧が小さい空間光変調器を実現する。【解決手段】 空間光変調器1の素子部2は、光磁気材料よりなり、それぞれ独立に磁化の方向が設定され、磁気光学効果により、入射する光に対して磁化の方向に応じた偏光方向の回転を与える複数の画素11aを含む磁性層11と、圧電材料よりなり、自らがひずむことによって磁性層11の各画素11aに応力を与える圧電層14と、圧電層14を挟み且つ各画素11aに対応した位置で交差するように配置され、所定の電圧が印加されることによって、圧電層14における各画素11aに対応した部分に対してひずみを発生させるための電界を与える複数の第1の導体層13および複数の第2の導体層15とを備えている。圧電層14は、磁性層11の各画素11aに対応した各部分毎に分割されている。
請求項（抜粋）：
光磁気材料よりなり、それぞれ独立に磁化の方向が設定され、磁気光学効果により、入射する光に対して磁化の方向に応じた偏光方向の回転を与える複数の画素を含む磁性層と、圧電材料よりなり、自らがひずむことによって前記磁性層の各画素に応力を与えるための圧電層と、前記圧電層を挟み且つ前記各画素に対応した位置で交差するように配置され、所定の電圧が印加されることによって、前記圧電層における前記各画素に対応した部分に対して、電気ひずみ効果によるひずみを発生させるための電界を与える複数の第1の導体層および複数の第2の導体層とを備え、前記圧電層は、前記各画素に対応した各部分毎に分割され、前記磁性層の各画素は、前記圧電層の各部分によって与えられた応力の方向に応じて磁化の方向が設定されることを特徴とする空間光変調器。
IPC (4件)：
G02F 1/09 503 ,  G02F 1/09 505 ,  G09F 9/30 343 ,  G09F 9/30 370
FI (4件)：
G02F 1/09 503 ,  G02F 1/09 505 ,  G09F 9/30 343 Z ,  G09F 9/30 370 A
Fターム (16件)：
2H079AA07 ,  2H079AA13 ,  2H079BA02 ,  2H079CA02 ,  2H079CA22 ,  2H079DA12 ,  2H079EB24 ,  2H079GA05 ,  5C094AA22 ,  5C094AA24 ,  5C094BA41 ,  5C094DA13 ,  5C094EB02 ,  5C094FA02 ,  5C094FB20 ,  5C094HA08
引用特許：
出願人引用 (11件)
  • 米国特許第4,584,237号明細書
  • 米国特許第5,241,421号明細書
  • 米国特許第5,255,119号明細書
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審査官引用 (7件)
  • 特開平3-204615
  • 特開平3-204615
  • 特開平2-254405
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