特許

J-GLOBAL ID：200903056693759880

化合物半導体装置の製造方法

発明者： 渡辺 和夫 ,  山崎 肇 ,  入戸野 巧
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 玉蟲 久五郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-342380
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152219
出願日： 1991年11月30日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 p型炭素ドープ層を含む化合物半導体エピタキシャル結晶膜の結晶品質を劣化することなく電気的性質を向上し、それを使用して形成したヘテロ接合バイポーラトランジスタ等の特性向上を図る。【構成】 半導体結晶基板上1にp型炭素ドープ層2を含む化合物半導体エピタキシャル結晶膜3を水素を含む雰囲気中で形成する第1の工程と、この半導体基板を前記p型炭素ドープ層2を形成した際の雰囲気より低い水素分圧の雰囲気中で所定の温度で熱処理する第2の工程と、を含む化合物半導体装置の製造方法。或いはまた、前記第2の工程において熱処理する際の所定の温度がp型炭素ドープ層のエピタキシャル成長温度或いはそれよりも低温であることを特徴とすること、或いはまた、前記第2の工程において熱処理する際の雰囲気が窒素或いは不活性ガス或いは真空中或いは他の水素を含まない雰囲気であることを特徴とするもの。

請求項（抜粋）：

半導体結晶基板上にp型炭素ドープ層を含む化合物半導体エピタキシャル結晶膜を水素を含む雰囲気中で形成する第1の工程と、前記化合物半導体エピタキシャル結晶膜を形成した半導体基板を前記p型炭素ドープ層を形成した際の雰囲気より低い水素分圧の雰囲気中で所定の温度で熱処理する第2の工程と、を含むことを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/324 ,  H01L 29/205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73