半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：伊丹勝 , 田村和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-171735
公開番号（公開出願番号）：特開2009-010254
出願日： 2007年06月29日
公開日（公表日）： 2009年01月15日
要約：

【課題】半導体装置の耐電圧を高めることにより、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】シリコン層上に誘電体分離膜122、132を閉ループ状に形成することによりシリコン層上の第一の半導体層領域123、133を絶縁分離し、その内側に拡散抵抗124、134を形成する。第一の誘電体分離膜122、132の閉ループの外側には第二の半導体層領域143が形成されている。この第二の半導体層領域143は、第二の誘電体分離膜142により閉ループ状に囲まれて、配線151の電位を与えられている。サージ電圧が印加されたとしても、第二の半導体層143は二つの拡散抵抗124、134の中点電位に固定されているため、第一の半導体層123、133と第二の半導体層143との間の電位差が半減し、誘電体分離膜122、132の破壊を防ぐことができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数の第一半導体層と、前記複数の第一半導体層のそれぞれを閉ループ状に囲って前記第一半導体層を閉ループの外側から絶縁分離する複数の第一誘電体分離膜と、前記複数の第一半導体層にそれぞれ不純物を拡散して形成される複数の拡散領域と、前記拡散領域同士を電気的に接続する導電部と、前記第一誘電体分離膜の閉ループの外側に形成され前記導電部の電位を与えられる第二半導体層と、前記第二半導体層を閉ループ状に囲って前記第二半導体層を閉ループの外側から絶縁分離する第二誘電体分離膜とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 21/76 , H01L 27/12 , H01L 23/52 , H01L 21/762

FI (6件)：

H01L27/04 H , H01L27/12 F , H01L27/12 K , H01L27/12 C , H01L21/76 D , H01L27/04 R

Fターム (24件)：

5F032AA01 , 5F032AA34 , 5F032AA45 , 5F032AA47 , 5F032BA05 , 5F032BA08 , 5F032BB03 , 5F032CA07 , 5F032CA14 , 5F032CA24 , 5F032DA53 , 5F038AR02 , 5F038AR03 , 5F038AR12 , 5F038AR16 , 5F038AR21 , 5F038BH02 , 5F038BH13 , 5F038BH15 , 5F038CD04 , 5F038EZ06 , 5F038EZ13 , 5F038EZ16 , 5F038EZ20

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-245737 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ

前のページに戻る