特許

J-GLOBAL ID：200903056699008444

半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置

発明者： 浅井 優幸 ,  田中 勉
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 和泉 良彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-187468
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007697
出願日： 2001年06月21日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】【課題】 基板上に不純物含有量の少ない薄膜を効率良く形成する。【解決手段】 反応室31内にヒータ32を設け、反応室31外に基板回転ユニット33を設け、反応室31内に基板回転ユニット33によって回転されるサセプタ34を設け、サセプタ34上に基板35を載置し、サセプタ34の上方にシャワー穴37を有するシャワー板36を設け、反応室31外に反応ガス供給ユニット38を設け、反応ガス供給ユニット38とシャワー板36とをガス供給管39によって接続し、ガス供給管39にバルブ40を設け、反応室31外にRPOユニット41を設け、RPOユニット41とシャワー板36とをガス供給管42によって接続し、ガス供給管42にバルブ43を設け、反応室31に排気管44を設け、成膜工程と除去工程とを連続して複数回繰り返すように制御する制御装置45を設ける。

請求項（抜粋）：

基板上にアモルファス薄膜を形成する成膜工程と、上記成膜工程において形成した上記アモルファス薄膜中の特定元素を除去する除去工程とを連続して複数回繰り返すことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

H01L 21/316 P ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/31 B

Fターム (37件)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030BA42 ,  4K030BB05 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030GA06 ,  4K030KA30 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045BB14 ,  5F045BB16 ,  5F045CA05 ,  5F045DC63 ,  5F045DC64 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EE19 ,  5F045EM10 ,  5F045HA16 ,  5F045HA22 ,  5F045HA24 ,  5F058BA01 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF04 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BG02 ,  5F058BH03 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ02