特許
J-GLOBAL ID：200903056705112194
プラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
金丸 章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-288640
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140362
出願日： 1992年10月27日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【目的】 真空容器の内部に磁場発生手段を配置した構成であって、小型化の容易な逆マグネトロン方式を採るプラズマ処理装置について、プラズマの電子とイオンの移動差による電位差(自己バイアス)を有効に増大させ、大面積の処理を、高速度で均一に行うことができるものとする。【構成】 両側の容器本体(1a),(1b) の間に、絶縁リング(3) を介して電気的に絶縁された円筒状の電極(2) を配し、筒状圧力容器に構成された真空容器(1) の中央部に、表面に凹凸を有する中空平角状の磁場発生体(5) と、この磁場発生体(5) 内部に水冷可能に配置された磁石(6) とを備えてなり、かつ容器本体(1b)と同電位に接続された磁場発生装置(4) を配置した構成とする。【効果】 試料を載置する電極(カソード)の面積を減少させることなく、磁場発生装置(アノード)の面積を増大させ、4剰則に従って、最適の自己バイアスを達成できる。
請求項（抜粋）：
真空容器と、この真空容器内にガスを導入するガス供給手段と、高周波電源に接続され、真空容器内にプラズマを発生させる電極と、真空容器の中央部に配置された磁場発生手段とを備え、マグネトロン放電を利用して試料のプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、磁場形成手段が真空容器に同電位に接続され、かつ、その表面に凹凸部を有してなることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, H01L 21/205
, H05H 1/46
