特許
J-GLOBAL ID：200903056707494108
研磨用組成物
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-017658
公開番号（公開出願番号）：特開2008-186898
出願日： 2007年01月29日
公開日（公表日）： 2008年08月14日
要約：
【課題】 半導体デバイス製造工程における銅配線、バリア層、及び絶縁膜層を含有した基板の平坦化工程に用いる二次研磨剤を提供する。【解決手段】 (A)成分、(B)成分、(C)成分、(D)成分、(E)成分、及び(F)成分を含む研磨用組成物であって、(A)成分が水溶性高分子、(B)成分がポリカルボン酸(B1)、その塩(B2)又はそれらの混合物、(C)成分が縮合リン酸(C1)、その塩(C2)又はそれらの混合物、(D)成分が砥粒、(E)成分が酸化剤、及び(F)成分が水であり、そして5〜9のpHを有する半導体デバイス製造における金属層、バリア層又は絶縁層の研磨に用いる研磨用組成物。研磨用組成物中の上記(A)成分の含有量が0.05〜5.0質量%、上記(B)成分の含有量が0.01〜5.0質量%、上記(C)成分の含有量が0.5〜5.0質量%である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
(A)成分、(B)成分、(C)成分、(D)成分、(E)成分、及び(F)成分を含む研磨用組成物であって、(A)成分が水溶性高分子、(B)成分がポリカルボン酸(B1)、その塩(B2)又はそれらの混合物、(C)成分が縮合リン酸(C1)、その塩(C2)又はそれらの混合物、(D)成分が砥粒、(E)成分が酸化剤、及び(F)成分が水であり、そして5〜9のpHを有する半導体デバイス製造における金属層、バリア層及び絶縁層の研磨に用いる研磨用組成物。
IPC (3件)：
H01L 21/304
, B24B 37/00
, C09K 3/14
H01L21/304 622D
, B24B37/00 H
, C09K3/14 550D
, C09K3/14 550Z
3C058AA07
, 3C058CB01
, 3C058CB04
, 3C058DA02
, 3C058DA12
, 3C058DA17
