特許
J-GLOBAL ID：200903056708126935
半導体不揮発性メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-260905
公開番号（公開出願番号）：特開平7-114796
出願日： 1993年10月19日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：
【要約】【目的】 メモリセルの消去特性のばらつきが発生しても誤読出しを起こすことなく、また、メモリセルのデータ保持特性も優れた半導体不揮発性メモリを提供する。【構成】 読出し時に複数のソース線の内の一つを選択するソースデコーダ3と、選択されたソース線には選択されたメモリセルトランジスタを活性化する電圧を、非選択のソース線には非選択のメモリセルトランジスタを非活性化する電圧を選択的に印加するソース電圧供給回路2とを有し、センスアンプとして、選択ソース線と選択ビット線との間に接続される選択メモリセルトランジスタのドレイン・ソース間に流れる電流と、選択ソース線と選択ビット線との間に接続される非選択メモリセルトランジスタのドレイン・ソース間に流れる電流とが識別可能な検知レベルを有するセンスアンプ8を有する。
請求項（抜粋）：
浮遊ゲート電極と制御ゲート電極とを有するメモリセルトランジスタを行列状に配列し、同一列に属する前記メモリセルトランジスタの各ドレインをビット線にそれぞれ共通接続し、同一行に属する前記メモリセルトランジスタの各制御ゲート電極をワード線にそれぞれ共通接続し、同一行に属する前記メモリセルトランジスタの各ソースをソース線に共通接続してセルアレイを構成し、このセルアレイ中の選択されたメモリセルトランジスタの蓄積情報をセンスアンプを介して読出す半導体不揮発性メモリにおいて、読出し時に複数の前記ソース線の内の一つを選択するソースデコーダと、選択されたソース線には選択されたメモリセルトランジスタを活性化する電圧を、非選択のソース線には非選択のメモリセルトランジスタを非活性化する電圧を選択的に印加するソース電圧供給回路とを有し、前記センスアンプとして、選択ソース線と選択ビット線との間に接続される選択メモリセルトランジスタのドレイン・ソース間に流れる電流と、選択ソース線と選択ビット線との間に接続される非選択メモリセルトランジスタのドレイン・ソース間に流れる電流とが識別可能な検知レベルを有するセンスアンプを具備したことを特徴とする半導体不揮発性メモリ。
FI (2件)：
G11C 17/00 520 A
, G11C 17/00 309 F
