特許

J-GLOBAL ID：200903056713038459

電界放出型電子源及びその製造方法

発明者： 浦山 雅夫 ,  伊勢 智一 ,  丸尾 祐二 ,  赤木 裕
出願人/特許権者： シヤープ株式会社
代理人 (1件)： 川口 義雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-255242
公開番号（公開出願番号）：特開平5-094762
出願日： 1991年10月02日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：

【要約】【目的】 製造工程が簡略化され、また、冷陰極とゲート電極との間の距離を短縮することができる電界放出型電子源を提供する。【構成】 n型シリコン基板11の表面を熱酸化し、厚さが0.2〜0.3μmの二酸化シリコン層14を形成する。次に、二酸化シリコン層14の表面にレジストを用いて例えば円形のパターンを形成し、二酸化シリコン層14をエッチングすることにより、円形の二酸化シリコンマスク14a を形成する。シリコン基板11の表面をドライエッチング法により等方的にエッチングし、冷陰極10の基本となる基板から突出した円錐形状を有する凸部11a をシリコン基板11の表面に形成する。更に、凸部11a が形成されたシリコン基板11の表面を熱酸化し、0.3〜0.5μm程度の深さを有する二酸化シリコン層12a を成長させ、絶縁層12の基本となる層を形成する。この際、シリコン基板11の凸部11a の表面も同時に熱酸化し円錐状の冷陰極10が形成される。

請求項（抜粋）：

半導体又は金属から成る基板表面に形成された電界放出の原理に基づき電子放出する冷陰極の基本となる凸部と、該凸部を含む前記基板の表面を酸化することにより形成された電気的に絶縁な絶縁層と、該絶縁層の上に形成された電界印加電極とを備えたことを特徴とする電界放出型電子源。【請求項1】 半導体又は金属から成る基板表面に電界放出の原理に基づき電子放出する冷陰極の基本となる凸部を形成し、該凸部を含む前記基板の表面を酸化することにより電気的に絶縁な絶縁層を形成し、該絶縁層の上に電界印加電極を形成することを特徴とする電界放出型電子源の製造方法。

IPC (2件)：

H01J 1/30 ,  H01J 9/02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭52-132771
  
• 特開昭51-052274