特許
J-GLOBAL ID：200903056714762703
半導体装置の実装構造および実装方法と半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大澤 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-316351
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196416
出願日： 2000年10月17日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の回路基板への平面実装を高密度でしかも信頼性高く行なえるようにする。【解決手段】 半導体装置10を回路基板26上に、各突起電極22を各回路電極28に直接接触させて配置し、半導体装置10側から超音波圧着ツールによって突起電極22に超音波振動と圧力を加え、回路基板26側からは熱を加えることにより、突起電極22と回路電極28の接合面25を拡散接合させる。その半導体装置10と回路基板26との間の隙間に絶縁性の封止樹脂32を充填して硬化させる。
請求項（抜粋）：
半導体チップの一面に複数の電極パッドとその各電極パッドにそれぞれ個別に導通する複数の突起電極とを有する半導体装置を、一面に前記複数の突起電極と個別に接続される複数の回路電極を有する回路基板に実装した半導体装置の実装構造であって、前記半導体装置の各突起電極と前記回路基板の各回路電極の対向する面が直接接合し、その接合面が拡散接合していることを特徴とする半導体装置の実装構造。
Fターム (4件)：
5F044KK01
, 5F044LL00
, 5F044QQ02
, 5F044QQ04
