特許
J-GLOBAL ID：200903056715564611
高周波用皮膜型インダクタ及びその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 三千雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-268199
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116731
出願日： 1996年10月09日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：
【要約】【課題】 導電膜として用いた銅皮膜の特徴を有利に発揮せしめつつ、セラミックスに対する付着力を向上せしめて、かかる銅皮膜の耐剥離性を改善した高周波用皮膜型インダクタを提供すること、及びそのような皮膜型インダクタを容易に且つ低コストで製造する技術を提供すること。【解決手段】 セラミックス基材2に対して、下地膜として、0.5〜3μmの膜厚のニッケル系メッキ皮膜を無電解メッキにて形成すると共に、該ニッケル系メッキ皮膜上に、銅メッキ皮膜からなる導電膜を、更に、電気メッキにて積層形成せしめた。
請求項（抜粋）：
セラミックス基材に対して、下地膜として、0.5〜3μmの膜厚のニッケル系メッキ皮膜を無電解メッキにて形成すると共に、該ニッケル系メッキ皮膜上に、銅メッキ皮膜からなる導電膜を更に電気メッキにて積層形成せしめてなることを特徴とする高周波用皮膜型インダクタ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01F 17/00 Z
, H01F 41/04 B
