特許
J-GLOBAL ID：200903056720145325
光半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-161672
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354865
出願日： 1998年06月10日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】 光半導体装置に関し、エピタキシャル成長半導体層の積層構造を最適化し、例えば1〔cm〕レーザ・バーに於いても変換効率40〔%〕以上が得られるようにする。【解決手段】 活性層8と、活性層8の上下に形成された厚さ50〔nm〕乃至80〔nm〕のアンドープのグレーデッド層7及び9と、活性層8に近い側が低濃度即ちp型=2×1017〔cm-3〕乃至4.5×1017〔cm-3〕n型=5×1016〔cm-3〕乃至4×1017〔cm-3〕の範囲にドーピングされ且つ電極に近い側が前記低濃度範囲の上限を越えて高濃度にドーピングされたAlGaAs系材料のグレーデッドSCH層6,7,9,10或いはクラッド層4,5,11,12とを備える。
請求項（抜粋）：
活性層と、活性層の上下に形成された厚さ50〔nm〕乃至80〔nm〕のアンドープ層と、活性層に近い側が低濃度即ちp型=2×1017〔cm-3〕乃至4.5×1017〔cm-3〕n型=5×1016〔cm-3〕乃至4×1017〔cm-3〕の範囲にドーピングされ且つ電極に近い側が前記低濃度範囲の上限を越えて高濃度にドーピングされたAlGaAs系材料からなるSCH層或いはクラッド層とを備えてなることを特徴とする光半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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