特許

J-GLOBAL ID：200903056721037208

速度飽和モードでの動作時に線形伝達特性を持つMOSFETデバイスとその製造方法及び動作方法

発明者： バリガ,バントヴァル・ジェヤント
出願人/特許権者： シリコン・ワイヤレス・コーポレイション ,  ジャイアント・セミコンダクター・コーポレイション
代理人 (3件)： 奥山 尚一 ,  有原 幸一 ,  松島 鉄男
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-505689
公開番号（公開出願番号）：特表2004-502306
出願日： 2001年06月05日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

本発明に係るMOSFETは高線形伝達特性(例えばId-Vg)を実現し、線形電力増幅器に有効に使用することができる。これらの線形伝達特性は、線形モードで動作するチャネルと、同時に大きな電圧に対応して電流飽和モードで動作するドリフト領域と、を有するMOSFETによって実現される。比較的濃くドープされた遷移領域は好ましくは前記チャネル領域と前記ドリフト領域との間に与えられる。空乏化されると、この遷移領域は、別個かつ同時に線形モードと電流飽和モードとを維持するポテンシャル障壁を実現する。

請求項（抜粋）：

絶縁ゲート型電界効果トランジスタを具備し、前記トランジスタは、順方向オンステート伝導時に該トランジスタのドレイン領域が速度飽和モードで動作すると同時に線形モードで動作する反転層チャネルをその中に有する、ことを特徴とする集積型パワーデバイス。

IPC (1件)：

H01L29/78

FI (6件)：

H01L29/78 652H ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 653B ,  H01L29/78 654Z ,  H01L29/78 301D ,  H01L29/78 301J

Fターム (14件)：

5F140AA00 ,  5F140AA25 ,  5F140AC21 ,  5F140BA16 ,  5F140BH13 ,  5F140BH14 ,  5F140BH18 ,  5F140BH26 ,  5F140BH30 ,  5F140BH41 ,  5F140BH43 ,  5F140BH47 ,  5F140BK13 ,  5F140CD08