特許

J-GLOBAL ID：200903056723336644

パターン形成方法

発明者： 仁木 博一 ,  若林 弘光 ,  親里 直彦 ,  早瀬 留美子 ,  浅川 鋼児
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-049532
公開番号（公開出願番号）：特開平6-266116
出願日： 1993年03月10日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】紫外線、電離放射線等の波長の短い放射線を用いたリソグラフィに適用でき、難溶化層に起因する庇を生じることなく、断面が矩形状で微細なパターンを安定して形成し得る方法を提供すること。【構成】基板上に感放射線組成物を塗布して感放射線層を形成する工程と、前記感放射線層上に重なり合いの閾値C* 以下の濃度の水溶性重合体溶液を塗布して被覆層を形成する工程と、前記感放射線層および被覆層にパターン照射を行なう工程と、前記感放射線層および被覆層を現像処理する工程とを具備したことを特徴とするパターン形成方法。

請求項（抜粋）：

基板上に感放射線組成物を塗布して感放射線層を形成する工程と、前記感放射線層上に重なり合いの閾値C* 以下の濃度の水溶性重合体溶液を塗布して被覆層を形成する工程と、前記感放射線層および被覆層にパターン照射を行なう工程と、前記感放射線層および被覆層を現像処理する工程とを具備したことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (4件)：

G03F 7/11 501 ,  G03F 7/26 511 ,  G03F 7/30 ,  H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-071271
  
• 特開昭61-285444
  
• 特開平4-221814
  
• 特許第3458311号