特許

J-GLOBAL ID：200903056734868605

配線基板およびその製造方法

発明者： 牛房 信之 ,  長谷部 健彦 ,  森 照享
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-372668
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189538
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：

【要約】【課題】製造コストを削減すると共に量産化を容易にし、高密度配線を可能にする。【解決手段】導体膜に熱伝導性が低い導体材料を用い、層間接続用ビアホールを直接レーザ加工により形成する。熱伝導率が小さい導体膜は、レーザ加工時の熱拡散率が低下しておりレーザエネルギを効果的に吸収することができるため、導体膜を効率よく部分的に溶融蒸発させ、層間接続用ビアホールを容易に形成できる。

請求項（抜粋）：

少なくとも一層の配線層と、レーザの照射対象となる導体膜と、該配線層と該導体膜との間に設けられた絶縁層とを備える配線基板において、該導体膜の材料が純銅に比べ熱伝導率が小さい導体材料であることを特徴とする配線基板。

IPC (3件)：

H05K 1/09 ,  H05K 3/40 ,  H05K 3/46

FI (4件)：

H05K 1/09 A ,  H05K 3/40 E ,  H05K 3/46 S ,  H05K 3/46 N

Fターム (49件)：

4E351AA03 ,  4E351BB01 ,  4E351BB31 ,  4E351BB33 ,  4E351BB35 ,  4E351BB49 ,  4E351CC06 ,  4E351CC07 ,  4E351CC11 ,  4E351DD04 ,  4E351DD33 ,  4E351GG20 ,  5E317AA24 ,  5E317BB02 ,  5E317BB12 ,  5E317CC22 ,  5E317CC25 ,  5E317CC32 ,  5E317CC33 ,  5E317CC44 ,  5E317CC51 ,  5E317CD01 ,  5E317CD12 ,  5E317CD25 ,  5E317CD27 ,  5E317CD32 ,  5E317GG14 ,  5E317GG17 ,  5E346AA06 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA32 ,  5E346BB01 ,  5E346BB15 ,  5E346CC31 ,  5E346CC32 ,  5E346DD02 ,  5E346DD12 ,  5E346DD32 ,  5E346EE02 ,  5E346EE06 ,  5E346EE07 ,  5E346FF01 ,  5E346FF04 ,  5E346GG15 ,  5E346GG28 ,  5E346HH25 ,  5E346HH26 ,  5E346HH33