特許
J-GLOBAL ID:200903056737930425

半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 土井 育郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-043680
公開番号(公開出願番号):特開2004-253674
出願日: 2003年02月21日
公開日(公表日): 2004年09月09日
要約:
【課題】低コストで薄型化が可能なリードレス構造であり、しかも強度的にも優れた表面実装型の半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】接着シートにおける接着剤層上に部分的に複数の導電部20を形成する基板作成工程、半導体素子10を電極が形成されていない側が基板側となるように前記基板上に固着し、複数の導電部20の上側と半導体素子10の電極11とをワイヤー30により電気的に接続する半導体素子搭載工程、半導体素子10とワイヤー30と導電部20とを封止樹脂40で封止して接着シート上に半導体装置を形成する樹脂封止工程、半導体装置から接着シートを分離するシート分離工程からなる製造方法であって、導電部20が張出部分20aを有した形状にすることで、導電部20と封止樹脂40との接合強度を高くする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
半導体素子の上側にある電極と複数の導電部の上側とがそれぞれワイヤーで電気的に接続され、半導体素子の電極が形成されていない下側と導電部のワイヤーに接続していない下側とが裏面に露出した状態で半導体素子とワイヤーと導電部とが封止樹脂で封止されてなるリードレス構造の半導体装置であって、導電部が張出部分を有した形状になっていることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件):
H01L23/12
FI (1件):
H01L23/12 501T
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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