特許

J-GLOBAL ID：200903056743557426

半導体装置

発明者： 桜井 友男
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-158500
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349238
出願日： 1999年06月04日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】 電源間の容量値を増加させることにより、動作をより安定化させると共にノイズにもより強くした半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体装置は、3層のAl配線層からなる第1の電源配線(VSS)13,21,31と、前記第1の電源配線(VSS)13,21,31の隣に配置された、3層のAl配線層からなる第2の電源配線(VDD)14,22,32と、を具備し、前記第2の電源配線(VDD)における1層目の導電層32と3層目の導電層14との相互間に、前記第1の電源配線(VSS)における2層目の導電層21の少なくとも一部が配置されているものである。

請求項（抜粋）：

少なくとも3層の導電層からなる第1の電源配線と、前記第1の電源配線の隣に配置された、少なくとも3層の導電層からなる第2の電源配線と、を具備し、前記第2の電源配線における1層目の導電層と3層目の導電層との相互間に、前記第1の電源配線における2層目の導電層の少なくとも一部が配置されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 27/04 D ,  H01L 21/88 A

Fターム (14件)：

5F033HH08 ,  5F033JJ08 ,  5F033KK08 ,  5F033MM08 ,  5F033MM28 ,  5F033NN12 ,  5F033UU05 ,  5F033VV04 ,  5F033XX23 ,  5F038BE09 ,  5F038CA03 ,  5F038CD02 ,  5F038CD14 ,  5F038EZ20