特許
J-GLOBAL ID:200903056743906340

半導体レーザ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高野 明近 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-292168
公開番号(公開出願番号):特開平5-102610
出願日: 1991年10月11日
公開日(公表日): 1993年04月23日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】 温度変化による共振器間隔の変化を防ぐことで、波長変動のまったくない半導体レーザを実現する。【構成】 半導体レーザ4として電気光学材料を用いる。発振した光によって結晶内に光の定在波を発生させ、周期的な屈折率変化を結晶内に持たせて回折格子1を形成し分布帰還型(DFB)レーザを実現している。すなわち、半導体レーザの活性層自体に GaAs 等の電気光学材料を使用して微小な屈折率差を持つ回折格子を形成する。
請求項(抜粋):
電気光学材料を用いた半導体レーザにおいて、発振した光によって結晶内に光の定在波を発生させ、周期的な屈折率変化を結晶内に持たせて回折格子を形成してなる分布帰還型であることを特徴とする半導体レーザ。

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