特許

J-GLOBAL ID：200903056746085827

半導体レーザ装置

発明者： 稲葉 雄一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-044398
公開番号（公開出願番号）：特開2000-244059
出願日： 1999年02月23日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】 活性層3の前端面における断面積が小さくても、出射角の温度依存性が小さい半導体レーザ装置を提供することを目的とする。【解決手段】 n型InPで構成された半導体基板1上に、ストライプ構造を有する活性層3を形成し、半導体基板1上であって活性層3の近傍に、キャリア濃度が3.0×1017cm-3以上、5.3×1017cm-3以下のp型InPで構成された第1の埋め込み層6と、第1の埋め込み層6上に形成され、キャリア濃度が2.0×1018cm-3のn型InPで構成された第2の埋め込み層7と、第2の埋め込み層7上に形成され、キャリア濃度が3.0×1017cm-3以上、5.3×1017cm-3以下のp型InPで構成された第3の埋め込み層8とを順次形成する。

請求項（抜粋）：

n型InPで構成された半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたストライプ構造を有する活性層と、前記半導体基板上であって前記活性層の近傍に形成され、キャリア濃度が3.0×1017cm-3以上、5.3×1017cm-3以下のp型InPで構成された第1の埋め込み層と、前記第1の埋め込み層上に形成され、キャリア濃度が2.0×1018cm-3のn型InPで構成された第2の埋め込み層と、前記第2の埋め込み層上に形成され、キャリア濃度が3.0×1017cm-3以上、5.3×1017cm-3以下のp型InPで構成された第3の埋め込み層とを有することを特徴とする半導体レーザ装置。

Fターム (11件)：

5F073AA22 ,  5F073AA63 ,  5F073AA64 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073CA12 ,  5F073CB11 ,  5F073DA21 ,  5F073DA35 ,  5F073EA14 ,  5F073EA19