特許

J-GLOBAL ID：200903056748362259

半導体素子の製法

発明者： 奥田 勝己
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-244398
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106614
出願日： 1993年09月30日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】 密着性および耐環境性の改善された透明導電膜および半導体素子を提供する。【構成】 透明基体1上に薄膜形成手段により0.025μm以上の平均結晶粒径のITO結晶を有する第1の透明導電膜2と平均結晶粒径が0.025μm未満であるITO結晶を有する第2の透明導電膜3とを順次形成するとともに、更にこの第2の透明導電膜3上に還元性活性種を含むプラズマにより半導体膜4を形成して成る半導体素子の製法。

請求項（抜粋）：

透明基体上に薄膜形成手段により平均結晶粒径が0.025μm以上であるITO結晶を有する第1の透明導電膜と平均結晶粒径が0.025μm未満であるITO結晶を有する第2の透明導電膜を順次形成するとともに、該第2の透明導電膜上に還元性活性種を含むプラズマにより半導体膜を形成することを特徴とする半導体素子の製法。

IPC (6件)：

H01L 31/04 ,  C01G 15/00 ,  C01G 19/00 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 31/04 M ,  H01L 29/78 311 Y