特許

J-GLOBAL ID：200903056749563380

半導体装置の製法

発明者： 伊藤 達志 ,  桑村 誠 ,  福島 喬
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-066501
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260432
出願日： 1996年03月22日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】耐湿信頼性に優れた封止材料を用いた、信頼性の高い樹脂封止作業を容易かつ高効率で行うことのできる半導体装置の製法を提供する。【解決手段】半導体素子3を搭載したドーターボード1の、上記素子搭載面に、半導体素子3を囲むように枠状封止用樹脂4を載置し、ついで、減圧雰囲気下において加熱板6による加熱により上記枠状封止用樹脂4を溶融させる。そして、上記ドーターボード1と半導体素子3との空隙に、上記枠状封止用樹脂4の溶融物を気圧差により侵入させて充填する。ついで、これを硬化させ上記ドーターボード1と半導体素子3との空隙を樹脂封止する。

請求項（抜粋）：

配線回路基板の配線電極に、導電性接着材料を介して半導体素子の対応する電極部を当接し上記配線回路基板に半導体素子を搭載する工程と、上記基板の素子搭載面に、半導体素子を囲むように枠状封止用樹脂を設ける工程と、減圧雰囲気下において加熱することにより上記枠状封止用樹脂を溶融させ、上記配線回路基板と半導体素子との空隙に、上記枠状封止用樹脂の溶融物を気圧差により侵入させて充填し、ついで硬化させ上記配線回路基板と半導体素子との空隙を樹脂封止する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/56

FI (2件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/56 R