特許

J-GLOBAL ID：200903056751195800

半導体材料およびその製造方法

発明者： 里村 雅史 ,  山嵜 一郎 ,  山中 良亮
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-105514
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299504
出願日： 1999年04月13日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：

【要約】【課題】 厚みが数mm程度で積層ピッチが数十nm程度(積層数が数千〜数万)であり、均一に積層された半導体材料を得る。【解決手段】 異なる化合物からなる複数種類の層が順次繰り返し積層されてなる積層相と、前記複数種類の層が焼結されてなる焼結反応相とが交互に積層して一体化されていることを特徴とする半導体材料およびその製造方法を提供する。

請求項（抜粋）：

異なる化合物からなる複数種類の層が順次繰り返し積層されてなる積層相と、前記複数種類の層が焼結されてなる焼結反応相とが交互に積層して一体化されていることを特徴とする半導体材料。

IPC (6件)：

H01L 35/26 ,  H01L 21/20 ,  H01L 35/16 ,  H01L 35/18 ,  H01L 35/32 ,  H01L 35/34

FI (6件)：

H01L 35/26 ,  H01L 21/20 ,  H01L 35/16 ,  H01L 35/18 ,  H01L 35/32 A ,  H01L 35/34

Fターム (1件)：

5F052KA05