特許

J-GLOBAL ID：200903056751353996

半導体装置およびその製造方法

発明者： 岡崎 洋暉
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-313407
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138373
出願日： 1998年11月04日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：

【要約】【課題】本発明は、ゲート電極に高融点金属膜を用いたMOSトランジスタにおいて、ゲート電極が高抵抗化するのを防止でき、しかも、製造工程を簡素化できるようにすることを最も主要な特徴とする。【解決手段】たとえば、ゲート酸化膜12上に高融点金属膜13’を成膜する際に、所定の期間、スパッタリングガス中に酸素を添加して、該高融点金属膜13’の最下層面および最上層面に、それぞれ、酸素を0.5〜3原子%程度含む酸素含有層13a,13bを、2〜50nm程度の膜厚で形成する。そして、この高融点金属膜13’を、マスク用絶縁膜21を用いて加工する。こうして、ゲート酸化膜12に接する最下層面には酸素含有層13aを、また、マスク用絶縁膜21と接する最上層面には酸素含有層13bをそれぞれに有して、ゲート電極13を形成するようになっている。

請求項（抜粋）：

高融点金属層の、シリコンを含む第1の含有層と接する面に、酸素または窒素を0.5〜3原子%程度含んだ第2の含有層を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3205

FI (5件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/285 301 S ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/88 M

Fターム (37件)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB16 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104DD42 ,  4M104DD71 ,  4M104EE05 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH16 ,  5F033HH20 ,  5F033LL03 ,  5F033PP16 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ28 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033VV06 ,  5F033WW00 ,  5F033WW02 ,  5F033XX00 ,  5F033XX09 ,  5F033XX10 ,  5F033XX14 ,  5F033XX20 ,  5F033XX33 ,  5F040DA00 ,  5F040EC01 ,  5F040EC07 ,  5F040EC08 ,  5F040EC12