特許
J-GLOBAL ID：200903056752060631
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-190549
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026571
出願日： 1997年07月01日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】 素子分離領域端において素子分離用酸化膜が半導体基板表面よりも下に後退しないトレンチ分離構造の形成方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1上に、第一の酸化膜21/窒化膜3の積層膜を形成した後、素子分離領域の窒化膜3をパターニングし、次に、前記パターニングした窒化膜3をマスクにして第一の酸化膜2をエッチングた後、半導体基板1をエッチングして素子分離用の溝DTを形成し、次に、パターニングした窒化膜3に等方性エッチングを施し、次に、半導体基板1を熱酸化して、溝DTの底面及び側面に第二の酸化膜4を形成した後、半導体基板1上に第三の酸化膜5を形成し、次に、化学機械的研磨法を用いて窒化膜3が露出するまで第三の酸化膜5を平坦化し、次に窒化膜3を除去し、次いで第一の酸化膜2を除去してトレンチ分離構造を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、第一の酸化膜及び前記第一の酸化膜とは異なるマスク膜を順次形成する第一の工程と、前記第一の酸化膜が部分的に露出するように前記マスク膜をエッチング加工する第二の工程と、前記第一の酸化膜が露出した部分の半導体基板に溝を形成する第三の工程と、前記第三の工程後、前記マスク膜を前記溝から縮退させる第四の工程と、前記第四の工程後、前記溝が形成された半導体基板表面に熱酸化膜を形成する第五の工程と、前記第五の工程後、前記半導体基板上に少なくとも前記溝が埋るように第二の酸化膜を形成する第六の工程と、前記第二の酸化膜を、前記マスク膜が露出するように研磨する第七の工程と、前記第七の工程後、前記マスク膜を除去する第八の工程と、前記第八の工程後、前記第一の酸化膜を除去する第九の工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/76 N
, H01L 21/76 D
