特許
J-GLOBAL ID：200903056753379666
透明導電膜形成用処理液およびその処理液を用いた透明導電膜の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-338080
公開番号（公開出願番号）：特開平8-185797
出願日： 1994年12月27日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：
【要約】【目的】 低温焼成が可能で、陰極線管(CRT)の電界シールド用の高い導電性をもつ膜を形成できる透明導電膜の提供。【構成】 錫含有酸化インジウムとアンチモン含有酸化錫のうちのいずれか一方もしくは両方の微粉末、七価のレニウム化合物とその還元能を有する化合物、アルキルシリケート部分加水分解重合物を主成分とするシリケート系バインダー、および有機溶剤とから実質的に構成される透明導電膜形成用処理液を用い、100°C以上450°C以下の温度で焼成する。
請求項（抜粋）：
錫含有酸化インジウムとアンチモン含有酸化錫のうちのいずれか一方もしくは両方の微粉末、七価のレニウム化合物とその還元能を有する化合物、および有機溶媒とから実質的に構成される透明導電膜形成用処理液。
IPC (2件)：
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