特許

J-GLOBAL ID：200903056755765296

不揮発性トンネルトランジスタおよびメモリ回路

発明者： 馬場 寿夫
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-112558
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326323
出願日： 1993年05月14日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】 微細化に適し、データの書き込みや消去が簡単に行える不揮発性のトンネルトランジスタを提供する。【構成】 ゲート7・ドレイン9間に電圧を印加することにより、第2の半導体3から電荷蓄積層6に電荷をトンネル効果により注入することができる。電荷蓄積層6にある電荷の有無で第2の半導体と第3の半導体の間のトンネル接合形成の有無が決定され、ソース8・ドレイン9間の電流が制御される。この注入された電荷は電荷蓄積層6中に長時間蓄積するため、不揮発性メモリとして振る舞う。また、注入時と反対の電圧を印加することにより電荷蓄積層6から消去させることができる。

請求項（抜粋）：

少なくとも半導体基板表面の一部に、一導電型を有する縮退した第1の半導体と、前記第1の半導体と反対の導電型を有し縮退した第2の半導体と、前記第1の半導体と第2の半導体との間の第3の半導体とからなる構造を有し、少なくとも前記第3の半導体の露出表面に、前記第3の半導体よりも禁止帯幅が広い絶縁膜と、この絶縁膜中の電荷蓄積層と、前記絶縁膜上の電極を有し、前記第1の半導体と前記第2の半導体にそれぞれオーミック電極を設けたことを特徴とする不揮発性トンネルトランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭48-054876
  
• 特開昭48-103278
  
• 特開昭48-066944
  
• 特開平4-025077