特許

J-GLOBAL ID：200903056756877853

チオフェン誘導体の製造方法

発明者： 小槻 日吉三 ,  深田 功
出願人/特許権者： 三井化学株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-394298
公開番号（公開出願番号）：特開2003-192688
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2003年07月09日
要約：

【要約】【課題】 置換基のないチオフェンをジエンとするディールスアルダー反応によって合成されるチオフェン誘導体を、工業的な生産性で高収率に製造し得る方法を提供する。【解決手段】 一般式(I)【化1】(式(I)中、X1は-S-、-O-、または-CR12-から(R1は水素、炭素数1〜20のアルキル基、または炭素数6〜20のアリール基を示し、同一でも異なってもよい。)選ばれ、同一でも異なってもよい。mは0、1又は2である。)で表されるオレフィン化合物とチオフェンを反応させてチオフェン誘導体を製造するに際し、該反応を無溶媒下、100〜2000MPaの圧力で行う。

請求項（抜粋）：

一般式(I)【化1】(式中、X1は-S-、-O-、または-CR12-から(R1は水素、炭素数1〜20のアルキル基、または炭素数6〜20のアリール基を示し、同一でも異なってもよい。)選ばれ、同一でも異なってもよい。mは0、1又は2である。)で表されるオレフィン化合物と、チオフェンとを反応させて、一般式(II)【化2】(式中、X2は少なくとも一つが-S-であり、その他は-O-、または-CR22-から(R2は水素、炭素数1〜20のアルキル基、または炭素数6〜20のアリール基を示し、同一でも異なってもよい。)選ばれ、同一でも異なってもよい。nは0、1又は2である。)で表されるチオフェン誘導体を製造するに際し、該反応を無溶媒下、100〜2000MPaの圧力で行うことを特徴とするチオフェン誘導体の製造方法。

IPC (2件)：

C07D495/18 ,  C07D495/22

FI (2件)：

C07D495/18 ,  C07D495/22

Fターム (14件)：

4C071AA03 ,  4C071BB02 ,  4C071BB03 ,  4C071CC11 ,  4C071CC21 ,  4C071CC22 ,  4C071DD08 ,  4C071EE13 ,  4C071FF23 ,  4C071HH08 ,  4C071KK01 ,  4C071LL03 ,  4C071LL05 ,  4C071LL07

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 副材投入設備の設定スケジユールテーブル作成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-203228   出願人：新日本製鐵株式会社
• 特開平3-215480
  
• 特開昭64-003179
  
• フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、および、半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-240594   出願人：現代電子産業株式会社
• 特開平3-215480
  
• 特開昭64-003179
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 新実験化学講座14 有機化合物の合成と反応I, 1977, P.210