特許
J-GLOBAL ID:200903056761068106
ハイブリッド電解質膜及びハイブリッド電解質膜の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
岸本 達人
, 星野 哲郎
, 山下 昭彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-331774
公開番号(公開出願番号):特開2009-158130
出願日: 2007年12月25日
公開日(公表日): 2009年07月16日
要約:
【課題】プロトン伝導性を保持しつつ、機械的強度及びガス遮断性に優れたハイブリッド電解質膜を提供する。【解決手段】少なくとも、組成式SnaMbPxOy(a+b=1、0<a≦1、0≦b<1、x>2.0、y=3.5x、Mは、In、Al、Ga、Sc及びYから選ばれる少なくとも1種の金属カチオン)で表されるプロトン伝導性無機化合物粒子と、ポリベンゾイミダゾールと、フッ素系樹脂と、を混合してなることを特徴とする、ハイブリッド電解質膜、並びに、前記プロトン伝導性無機化合物粒子と、ポリベンゾイミダゾールと、溶媒とを混合して得られるペーストから、前記溶媒を除去し、該溶媒除去により得られた残渣分とフッ素系樹脂とを混練して混練物を調製し、該混練物を膜化する、ハイブリッド電解質膜の製造方法。【選択図】図1
請求項(抜粋):
少なくとも、組成式SnaMbPxOy(a+b=1、0<a≦1、0≦b<1、x>2.0、y=3.5x、Mは、In、Al、Ga、Sc及びYから選ばれる少なくとも1種の金属カチオン)で表されるプロトン伝導性無機化合物粒子と、ポリベンゾイミダゾールと、フッ素系樹脂と、を混合してなることを特徴とする、ハイブリッド電解質膜。
IPC (8件):
H01M 8/02
, H01B 1/06
, H01B 13/00
, C08J 5/22
, C08L 79/04
, C08L 27/12
, C08K 3/32
, C01B 25/45
FI (8件):
H01M8/02 M
, H01B1/06 A
, H01B13/00 Z
, C08J5/22
, C08L79/04 A
, C08L27/12
, C08K3/32
, C01B25/45 T
Fターム (38件):
4F071AA26
, 4F071AA27
, 4F071AA58
, 4F071AB25
, 4F071AB29
, 4F071AE15
, 4F071AF37
, 4F071AG27
, 4F071AH15
, 4F071FB02
, 4F071FB06
, 4F071FB08
, 4F071FC01
, 4F071FC04
, 4J002BD15W
, 4J002CM02X
, 4J002DH006
, 4J002DM006
, 4J002FD116
, 4J002GQ02
, 4J002GR00
, 5G301CA12
, 5G301CA15
, 5G301CA23
, 5G301CD01
, 5G301CE01
, 5H026AA06
, 5H026BB01
, 5H026BB02
, 5H026BB08
, 5H026CX05
, 5H026EE11
, 5H026EE13
, 5H026EE17
, 5H026EE18
, 5H026EE19
, 5H026HH05
, 5H026HH08
引用特許:
出願人引用 (1件)
-
プロトン伝導体および燃料電池
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-341825
出願人:三洋電機株式会社, サムスンエレクトロニクスカンパニーリミテッド, サムスンエスディアイカンパニーリミテッド
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