特許
J-GLOBAL ID：200903056762886554
微細加工方法および微細加工装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-293333
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136097
出願日： 1991年11月08日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：
【要約】【目的】 同一の高真空装置内にて化合物半導体表面の清浄度を維持したまま微細加工を行う。【構成】 化合物半導体を回転式試料台3上にのせ、炭化水素ガスと電子銃5より照射される電子ビームを用いて、該化合物半導体上に選択的に有機堆積膜14を形成し、炭化水素/水素混合ガス雰囲気中でカソード1及びアノード2からなる平行平板電極に高周波電界をかけ、該有機堆積膜14をマスクにして反応性イオンエッチングを行った後、酸素プラズマアッシングにより該有機堆積膜を除去することにより、同一装置内で微細加工を行う。
請求項（抜粋）：
電子ビームと反応性ガスとを用いた微細加工方法において、少なくともメタン,エタンを含む炭化水素ガス雰囲気中で電子ビームを半導体基板上に照射し、電子ビームを照射した部分の該半導体基板上に選択的に有機堆積膜を形成する工程と、該有機堆積膜をマスクにして半導体露出部の半導体層をエッチング除去する工程と、該有機堆積膜を酸素プラズマアッシングにより除去する工程とを有し、該全工程を同一装置内で行うことを特徴とする微細加工方法。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 21/027
