特許

J-GLOBAL ID：200903056768102431

プラズマ処理装置

発明者： 石井 信雄
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 浅井 章弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-351309
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177077
出願日： 1992年12月07日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】 高周波電源によって交番磁界及び交番電界を形成することによってプラズマを効率的に生成する。【構成】 プラズマ処理装置において、処理容器20の外面に設けた高周波アンナテ手段34に高周波電流を流すことにより処理空間に同心円状の交番磁界48A、48Bを形成して半径方向への交番電界50A、50Bを誘導する。そして、この処理空間Sに直角に静磁場を加えることにより電子Eを同心円状にドリフトさせて閉じ込め、プラズマ生成効率を向上させる。

請求項（抜粋）：

処理空間に位置される被処理体にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記処理空間を区画する処理容器と、この処理容器内の前記処理空間に沿って交番磁界を形成することにより半径方向への交番電界を発生させる高周波アンテナ手段と、前記処理空間に、前記交番磁界と前記交番電界のそれぞれに対して直交する方向に静磁場を形成することによりプラズマ発生用の電子を同心円状にドリフトさせるための磁石手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6件)：

H01L 21/302 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-068773
  
• 特開平1-258400
  
• 特表平4-504025
  
• 特開昭63-277778