特許

J-GLOBAL ID：200903056772798297

超伝導素子回路とその製造方法および超伝導デバイス

発明者： 小田川 明弘 ,  足立 秀明 ,  瀬恒 謙太郎
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-232882
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074573
出願日： 1997年08月28日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【課題】 基板の表面に予め所定のパターン形状を付与し、この表面に酸化物超伝導薄膜を形成することにより、超伝導体の加工劣化を抑制した超伝導素子回路を提供する。【解決手段】 MgO基板11上に、超伝導回路を構成する素子部および配線部を凸部として形成した後、その凸部を横断するように断面が左右非対称のV字状溝部を形成した。さらに、基板上にBi2Sr2CaCu2Ox薄膜13を成膜した後、高温アニールにより配向結晶化した薄膜14とし、V字状溝部の段差部分においてジョセフソン特性を示す超伝導素子回路とした。

請求項（抜粋）：

基板上に、回路配線の少なくとも一部に相当する凸部を形成し、この凸部を横断するように段差部分を形成し、前記基板上に酸化物超伝導薄膜を成膜することにより構成されたことを特徴とする超伝導素子回路。

IPC (3件)：

H01L 39/22 ZAA ,  H01L 39/02 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA

FI (3件)：

H01L 39/22 ZAA A ,  H01L 39/02 ZAA B ,  H01L 39/24 ZAA C