特許

J-GLOBAL ID：200903056773956490

p型2-6族化合物半導体ヘテロ接合界面の形成方法

発明者： 望月 和浩 ,  中塚 慎一 ,  大家 彰
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-033314
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236550
出願日： 1995年02月22日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】接触抵抗が小さいp型2-6族化合物半導体ヘテロ接合界面を形成する。【構成】2-6族化合物半導体ヘテロ接合界面に深さ50nm以上の凹凸を形成する。【効果】ヘテロ界面の接合面積が実効的に増大する結果、接触抵抗が小さいヘテロ接合界面を実現できる。

請求項（抜粋）：

第1のp型2-6族化合物半導体層上に深さ50nm以上の凹凸を形成する工程,上記第1のp型2-6族化合物半導体層上に第2のp型2-6族化合物半導体層を、上記第1のp型2-6族化合物半導体と上記第2のp型2-6族化合物半導体からなる超格子層あるいは混晶層を介して形成する工程を有することを特徴とするp型2-6族化合物半導体ヘテロ接合界面の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/363 ,  H01L 21/203 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 21/363 ,  H01L 21/203 M ,  H01S 3/18