特許

J-GLOBAL ID：200903056779690270

基板の配線形成方法

発明者： 沼尻 一哉
出願人/特許権者： 茨城日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-302325
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127412
出願日： 1999年10月25日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】 基板の配線の抵抗をその長さを変えることなく、所定の長さにする。【解決手段】基板3に開口部31を有するフォトレジスト膜4を形成する。次に、めっき下地膜5を形成し、フォトレジスト膜4を剥離する。次に、基板3に開口部32を有するフォトレジスト膜6を形成する。次に、めっき下地膜7を形成し、フォトレジスト膜6を剥離し、開口部32および33を有するフォトレジスト膜8を形成し、電解めっき法により、開口部33および34にめっき膜9を形成する。次に、フォトレジスト膜8を剥離した後に、メッキ膜9直下のもの以外のめっき下地膜5および7をエッチングにより除去する。その後、基板3を加熱することにより、めっき下地膜5の金属が配線35を形成するめっき膜9中に熱拡散し、めっき下地膜7の金属が配線36を形成するめっき膜9中に熱拡散する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成しためっき下地膜の上にめっき膜を形成した配線の抵抗値が目標の値になるように前記めっき膜に前記めっき下地膜の金属を熱拡散することを特徴とする基板の配線形成方法。

IPC (9件)：

H05K 3/22 ,  C25D 5/02 ,  C25D 5/50 ,  C25D 5/54 ,  C25D 7/00 ,  C25D 7/12 ,  H05K 1/09 ,  H05K 1/16 ,  H05K 3/24

FI (9件)：

H05K 3/22 Z ,  C25D 5/02 B ,  C25D 5/50 ,  C25D 5/54 ,  C25D 7/00 J ,  C25D 7/12 ,  H05K 1/09 C ,  H05K 1/16 C ,  H05K 3/24 A

Fターム (40件)：

4E351AA01 ,  4E351AA06 ,  4E351BB01 ,  4E351BB33 ,  4E351BB35 ,  4E351CC01 ,  4E351CC05 ,  4E351CC06 ,  4E351CC22 ,  4E351CC25 ,  4E351DD04 ,  4E351DD06 ,  4E351DD11 ,  4E351DD17 ,  4E351DD20 ,  4E351GG06 ,  4K024AA09 ,  4K024AA11 ,  4K024AB02 ,  4K024AB08 ,  4K024AB15 ,  4K024BA11 ,  4K024BB11 ,  4K024BB12 ,  4K024DB01 ,  4K024FA05 ,  4K024GA16 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB35 ,  5E343BB38 ,  5E343BB48 ,  5E343DD23 ,  5E343DD25 ,  5E343DD26 ,  5E343DD43 ,  5E343ER11 ,  5E343ER18 ,  5E343ER33 ,  5E343GG13