特許

J-GLOBAL ID：200903056787605070

ダイナミックランダムアクセスメモリおよびこれを用いたメモリシステム

発明者： 佐野 克政
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-044605
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254271
出願日： 1994年03月16日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【構成】 トランジスタおよびキャパシタからなるメモリセルを行列状に配置したダイナミック型メモリセルアレイと、リフレッシュ動作時にメモリセルアレイの行を指定するリフレッシュアドレスカンウタと、外部より入力されるリフレッシュ制御信号(/RE)に基づき、リフレッシュ動作を制御し、リフレッシュアドレスカウンタをカウント制御し、リフレッシュ動作終了後に所定パルス幅のリフレッシュ終了信号(RO)を発生させるリフレッシュ制御回路とを具備することを特徴とするダイナミックランダムアクセスメモリ11。【効果】 本発明を用いると、制御方法を複雑化させず、大容量電源を不要としたメモリシステムを提供できる。

請求項（抜粋）：

トランジスタおよびキャパシタからなるメモリセルを行列状に配置したダイナミック型メモリセルアレイと、リフレッシュ動作時に前記メモリセルアレイの行を指定するリフレッシュアドレスカンウタと、外部より入力されるリフレッシュ制御信号に基づき、リフレッシュ動作を制御し、リフレッシュアドレスカウンタをカウント制御し、前記リフレッシュ動作終了後に所定パルス幅のリフレッシュ終了信号を発生させるリフレッシュ制御回路とを具備することを特徴とするダイナミックランダムアクセスメモリ。