特許

J-GLOBAL ID：200903056789823295

シリコン半導体基板の製造方法

発明者： 白川 義徳 ,  遠藤 昭彦
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 穂上 照忠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-017181
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214322
出願日： 1998年01月29日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】転位密度を低減し、特性の優れたSOI構造のシリコン半導体基板を提供できる。【解決手段】シリコン単結晶基板中に酸素イオンを注入したのち熱処理を行うことによってこのシリコン単結晶基板中に内部酸化膜を形成するシリコン単結晶基板の製造方法であって、前記酸素イオン注入の前に基板に予め熱処理を施すことを特徴とするシリコン単結晶基板の製造方法である。この製造方法において、酸素イオン注入の前に基板に予め施す熱処理の条件を500°C〜900°Cで10〜80時間にするのが望ましい。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶基板中に酸素イオンを注入したのち熱処理を行うことによってこのシリコン単結晶基板中に内部酸化膜を形成するシリコン単結晶基板の製造方法であって、前記酸素イオン注入の前に基板に予め熱処理を施すことを特徴とするシリコン単結晶基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/12

FI (4件)：

H01L 21/265 J ,  H01L 21/322 Y ,  H01L 27/12 E ,  H01L 21/76 R