特許

J-GLOBAL ID：200903056791754578

半導体装置の製造方法及び平坦化加工装置

発明者： 安井 感 ,  片桐 創一 ,  河村 喜雄 ,  河合 亮成 ,  佐藤 雅彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-345139
公開番号（公開出願番号）：特開2000-173955
出願日： 1998年12月04日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：

【要約】【課題】 半導体集積回路の製造工程で用いるウエハ表面パターンの平坦化技術に関して、平坦化性能に優れる砥石を用いた加工法において研磨レートを高速化する。【解決手段】 砥石16からの遊離砥粒の排出を促進する分散剤を加工液18に添加する。【効果】 分散剤の添加により、欠陥発生を抑制しつつ高い平坦化性能と研磨レートの高速化及び安定化が達成できる。また、装置のパーティクル汚染を減少し、加工後ウエハの洗浄性を向上させる。

請求項（抜粋）：

砥粒と、前記砥粒を結合、保持するための物質から構成される砥石を用い、分散剤を添加した加工液を前記砥石の表面に供給して、半導体基体を、研磨により平坦化する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14

FI (5件)：

H01L 21/304 621 C ,  H01L 21/304 622 C ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 M

Fターム (10件)：

3C058AA04 ,  3C058AA07 ,  3C058AB04 ,  3C058AC04 ,  3C058CA01 ,  3C058CB02 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA17