特許

J-GLOBAL ID：200903056793163909

絶縁ゲート型半導体装置

発明者： 西脇 克彦
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (3件)： 岡戸 昭佳 ,  富澤 孝 ,  山中 郁生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-121640
公開番号（公開出願番号）：特開2004-327799
出願日： 2003年04月25日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：

【課題】オン電圧の低減およびターンオフ時間の短縮を両立し,さらに好ましくは,短絡電流の低減等も達成した絶縁ゲート型半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体基板内に位置しその第1面に面する第1エミッタ領域112と,半導体基板内に位置するとともに第1エミッタ領域112に接するpボディ領域103と,第1エミッタ領域112およびpボディ領域103と対面するゲート電極106と,半導体基板の第1面上に位置し第1エミッタ領域112と導通するエミッタ電極109とを有する絶縁ゲート型半導体装置において,第1エミッタ領域112とエミッタ電極109との間に部分的にn型の第2エミッタ領域111を設ける。第1エミッタ領域111の少なくとも一部はp+ エミッタ領域100であり,第2エミッタ領域111は,p+ エミッタ領域100に接している。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板内に位置しその第1面に面する第1エミッタ半導体領域と,半導体基板内に位置するとともに前記第1エミッタ半導体領域に接するボディ半導体領域と,前記第1エミッタ半導体領域および前記ボディ半導体領域に接する絶縁膜と,前記絶縁膜を介して前記第1エミッタ半導体領域および前記ボディ半導体領域と対面する対面電極と,半導体基板の第1面上に位置し前記第1エミッタ半導体領域と導通するエミッタ電極とを有する絶縁ゲート型半導体装置において, 前記第1エミッタ半導体領域と前記エミッタ電極との間に部分的に設けられた第2エミッタ半導体領域を有し, 前記第1エミッタ半導体領域が少なくとも部分的に第1導電型であり, 前記ボディ半導体領域および前記第2エミッタ半導体領域が第2導電型であり, 前記第2エミッタ半導体領域は,前記第1エミッタ半導体領域の第1導電型の部分に接していることを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。

IPC (4件)：

H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/74 ,  H01L29/749

FI (6件)：

H01L29/78 655E ,  H01L29/78 652M ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/74 601A ,  H01L29/74 A

Fターム (11件)：

5F005AA02 ,  5F005AA03 ,  5F005AB03 ,  5F005AE01 ,  5F005AE09 ,  5F005AF01 ,  5F005AF02 ,  5F005AH04 ,  5F005BA02 ,  5F005GA01 ,  5F005GA02