特許
J-GLOBAL ID：200903056794177270
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-244922
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088245
出願日： 1994年09月14日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：
【要約】【目的】 TAB方式でBGA(ボールグリッドアレイ)を実現できるようにしてコストダウンを図る。実装基板への半田付け状態を目視できるようにする。【構成】 スルーホール2aが形成されたベースフィルム2上に、インナーリード3a、ランド3bを有し、ランド部に透孔3cが開孔された銅箔配線3を形成する。ベースフィルム上をランド部に開口を有するカバーレジスト4で被覆する。半導体チップ1の電極1aをインナーリード3aにボンディングし、封止樹脂5で保護する。ランド3bに半田ボールを供給してリフローしてバンプ6を形成する。このとき、透孔3cを介して半田は反対側にも這い上がる。この這い上がり6aにより、半田付け状態の目視と電気特性のチェックが可能となる。
請求項（抜粋）：
デバイスホールおよびスルーホールが形成されたベースフィルムおよび該ベースフィルム上に接着された、一端が前記デバイスホール内にインナーリードとして突出し他端が前記スルーホール上にまで延在してランドを形成している金属箔配線層を有するフィルムキャリアテープと、電極が前記金属箔配線層のインナーリード部に接続された半導体ICチップと、前記半導体ICチップを保護する封止樹脂と、前記金属箔配線層のベースフィルム側またはその反対側に設けられたランド上に形成された導電性材料からなるバンプと、を備え、前記金属箔配線層のランドの中央部には、前記スルーホールより小さい寸法の透孔が開設されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 23/50
