特許
J-GLOBAL ID：200903056796407744
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-331917
公開番号（公開出願番号）：特開平8-167678
出願日： 1994年12月09日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：
【要約】【目的】 配線基板1上の半導体ペレット搭載部2に半導体ペレット3を接着し、その電極5を配線基板1上の電極7に接続し、半導体ペレット3及び配線基板1上の電極7を封止材11で封止した半導体装置において、加熱リフローによる半田付け時に封止材11や配線基板1中に吸収されている水分が気化膨張して封止材11と配線基板1の界面剥離や封止材の凝集破壊などのリフロークラックが生じることを防止し、信頼性の向上を図る。【構成】 半導体ペレット搭載部2に水蒸気を逃がす貫通孔である水蒸気逃げ孔9を形成する。更には、半田及び/又はメッキの付着を防止する保護膜10を、半田及び/又はメッキが必要な部分に形成しないだけでなく半導体ペレット搭載部2の外周部分にも形成しないことにより該部分にて配線基板1の配線膜除去部分6aと封止材11を密着させる。
請求項（抜粋）：
配線基板上の半導体ペレット搭載部に半導体ペレットを接着し、該半導体ペレットの電極を上記配線基板上の電極に接続し、上記半導体ペレット、その電極及び配線基板上の電極を封止材で封止した半導体装置において、上記半導体ペレット搭載部に水蒸気を逃がす貫通孔である水蒸気逃げ孔を形成したことを特徴とする半導体装置
IPC (3件)：
H01L 23/28
, H01L 21/56
, H01L 23/12
