特許
J-GLOBAL ID:200903056811855961

シクロデキストリン誘導体の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-233749
公開番号(公開出願番号):特開平7-090006
出願日: 1993年09月20日
公開日(公表日): 1995年04月04日
要約:
【要約】【目的】シクロデキストリンのアシル化を短時間でしかも最終的に高収率で得ることができる方法を提供する。【構成】シクロデキストリンに酸化ジブチルスズを反応させて環状スズ中間体を合成し、次いで酸ハロゲン化物と反応させスズを脱離しアシル化することを特徴とするシクロデキストリン誘導体の製造方法。
請求項(抜粋):
シクロデキストリンに酸化ジブチルスズを反応させて環状スズ中間体を合成し、次いで酸ハロゲン化物と反応させスズを脱離しアシル化することを特徴とするシクロデキストリン誘導体の製造方法。

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