特許

J-GLOBAL ID：200903056814259529

炭化ケイ素焼結体、及びその製造方法

発明者： 小高 文雄 ,  高橋 佳智
出願人/特許権者： 株式会社ブリヂストン
代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-310817
公開番号（公開出願番号）：特開2001-130971
出願日： 1999年11月01日
公開日（公表日）： 2001年05月15日
要約：

【要約】【課題】高密度、高純度で、且つ高い体積抵抗率(低い導電性)を有する炭化ケイ素焼結体、及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 炭化ケイ素粉末、非金属系焼結助剤、及び窒化ケイ素粉末の混合物を焼結して得られ、且つ、その体積抵抗率が100Ω・cm以上、不純物元素の総含有量が10ppm以下、密度が2.8g/cm3以上であることを特徴とする炭化ケイ素焼結体である。

請求項（抜粋）：

炭化ケイ素粉末、非金属系焼結助剤、及び窒化ケイ素粉末の混合物を焼結して得られ、且つ、その体積抵抗率が100Ω・cm以上、不純物元素の総含有量が10ppm以下、密度が2.8g/cm3以上であることを特徴とする炭化ケイ素焼結体。

FI (2件)：

C04B 35/56 101 Q ,  C04B 35/56 101 R

Fターム (16件)：

4G001BA22 ,  4G001BA32 ,  4G001BA71 ,  4G001BA77 ,  4G001BA78 ,  4G001BB22 ,  4G001BB32 ,  4G001BB71 ,  4G001BC02 ,  4G001BC03 ,  4G001BC13 ,  4G001BC46 ,  4G001BC47 ,  4G001BC57 ,  4G001BD22 ,  4G001BE33