特許
J-GLOBAL ID:200903056831466686
感光体特性評価方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
金田 暢之 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-273951
公開番号(公開出願番号):特開2002-082572
出願日: 2000年09月08日
公開日(公表日): 2002年03月22日
要約:
【要約】【課題】 感光体の帯電特性だけでなく、感光特性、暗減衰特性、光メモリー特性などの電子写真プロセスに関わる様々な特性を総合的かつ高精度に検出し、各々の性能差を厳密に検出できる評価方法を提供する。【解決手段】 アモルフアスシリコンを主成分とする光導電層を有する円筒状の感光体101の外周に、帯電手段102および表面電位測定用プローブ103を有するユニット104が設けられている。ユニット104を、感光体の母線方向の任意の場所に位置させて、感光体101を回転させ帯電と表面電位測定とを行って感光体101の特性を評価する。帯電手段102の、感光体101の母線方向における有効帯電範囲は、2cm以上15cm以下である。
請求項(抜粋):
円筒状感光体を回転させるとともに、少なくとも帯電と表面電位測定とを行うことによって前記感光体の特性を評価する方法であって、少なくとも帯電手段および表面電位測定手段を有するユニットを、前記感光体の外周部で前記感光体の母線方向の任意の場所に移動させて、前記感光体の特性を評価する方法において、前記帯電手段の前記感光体の母線方向における有効帯電範囲が2cm以上15cm以下であることを特徴とする感光体特性評価方法。
IPC (3件):
G03G 21/00
, G01N 27/60
, G03G 5/08 105
FI (3件):
G03G 21/00
, G01N 27/60 E
, G03G 5/08 105
Fターム (6件):
2H034FA07
, 2H068DA36
, 2H068DA80
, 2H068EA41
, 2H068FA18
, 2H068FC01
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