特許

J-GLOBAL ID：200903056835565522

半導体集積回路

発明者： 田中 修治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-350359
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189747
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】電源電圧の異なる各種セルを任意の位置に配置可能で、レイアウトの自由度が高く、集積回路の高集積化が可能な半導体集積回路を提供する。【解決手段】少なくとも一のトランジスタを有するセルが複数配列接続されたセル列を有する半導体集積回路であって、各セルは、当該セルのトランジスタを駆動するための電圧を供給する電源線と当該セルを通過する一以上の他の電圧の電源線とを有し、各セルのうち隣合う各セルの電源線同士は接続可能となっており、各セルのうち異なる電圧が供給される隣り合うセル間には、当該各セルの有する各電源線を相互に切り換え接続する電源線切換用セルXが接続されている。

請求項（抜粋）：

少なくとも一のトランジスタを有するセルが複数配列接続されたセル列を有する半導体集積回路であって、前記各セルは、当該セルのトランジスタを駆動するための電圧を供給する電源線と当該セルを通過する一以上の他の電圧の電源線とを有し、前記各セルのうち隣合う各セルの電源線同士は接続可能となっており、前記各セルのうち異なる電圧が供給される隣り合うセル間には、当該各セルの有する各電源線を相互に切り換え接続する電源線切換用セルが接続されている半導体集積回路。

IPC (3件)：

H01L 21/82 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 21/82 B ,  H01L 21/82 L ,  H01L 27/04 D